차세대 반도체 메모리 소자인 F램의
고집적화를 획기적으로 높인 박막이
포항공대 연구팀에 의해 개발됐습니다.

포항공대 신소재공학과 장현명 교수 연구팀은
천억 회의 반복적인 쓰기-읽기 동작에도
정보가 손실되지 않는 탁월한 성능의
비휘발성 F램용 박막 소자를 개발하는데 성공했습니다.

연구팀은 이번에 개발한 F램용 메모리 소자가
전기적 피로현상을 없애고 한번 기록된 정보가
시간의 경과에도 손실없이 유지되는
높은 전하 유지능력을 갖고 있다며
우리나라가 앞으로 F램 시대에도 세계 선두에
설 수 있는 원동력이 될 것이라고 말했습니다.